About / Advertise
Den taiwanesiska kiselsmedjan TSMC uppger idag att man som första företag i världen kan erbjuda tillverkning av halvledare i 40 nm-teknik. Den nya processnoden ger den minsta SRAM-cellen för dagen och kommer i både en generell och en lågeffektsvariant.
TSMC marscherar snabbt framåt i sin processutveckling. I fjol släppte företaget sin första 45 nm-process och nu kommer alltså den först processen som kan tillverka halvledare i 40 nm. Jämför man de två processnoderna så visar det sig att nykomlingens lågeffektsvariant kan minska effektförbrukningen med upp till 15 procent, enligt TSMC. Den nya processen kommer, som nämnts, i två varianter: en generell (40G) och en för låg effekt (40LP). Den senare är tänkt att användas för tillämpningar som är känsliga för läckströmmar, exempelvis trådlösa och bärbara produkter, medan den generella processen är ämnad för CPU:er, GPU:er, FPGA:er, olika nätverksprodukter med mera. Båda processvarianterna stöder en stor mängd rf- och blandsignalsfunktioner samt inbyggda DRAM.
Den nya processen är en linjär skalning av företagets 45 nm-process och enligt TSMC har SRAM-cellernas storlek krympts till 0,242 kvadratmikrometer - vilket är industriledande – samtidigt som SRAM-prestanda har kunnat bibehållas. När det gäller packningsdensiteten så jämför TSMC genomgående mot sin 65 nm-process och resultatet är att 45 nm-processen packar dubbelt så tätt, medan 40 nm-processen packar en faktor 2,35 tätare än företagets 65 nm-process.
De första kretsarna sprungna ur den nya 40 nm-processen väntas vara framme under årets andra kvartal. För att göra processen tillgänglig även för mindre företag erbjuder TSMC tjänsten CyberShuttle, där flera kunder samsas på samma kiselskiva (MPW, Multi Project Wafer). De första prototyperna kan bokas till april, därefter kommer CyberShuttle för 40 nm att köras varannan månad året ut.
