JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Toshiba vässar sina dioder i kiselkarbid

En andra generation Schottky Barrier Diode (SBD) i kiselkarbid är vad Toshiba just lanserat. Nykomlingarna påstås ha en strömdensitet som är 50 procent högre än den tidigare generationen.

Kiselkarbid kan bana väg för effektivare kraftkretsar än dagens kiselkretsar, vilket minskar behovet av värmeavledning men också spar utrymme. Likaså ger kiselkarbid  stabil drift över ett bredare temperaturområde än kiselalternativ – även vid höga spänningar och strömmar. Så motiverar Toshiba sin utveckling inom kiselkarbid.

Närmast har företaget släppt en serien 650V Schottkydioder i SiC tänkta att användas i konstruktioner som kräver snabb kraftomvandling, exempelvis vid effektfaktorkorrigering (PFC), i inverterare för solpaneler eller UPS:er.

Dioderna i serien levererar strömmen 4A (TRS4E65F) , 6A (TRS6E65F), 8A (TRS8E65F) och 10A (TRS10E65F)  och kommer kapslade i en TO-220 med  två pinnar. De går också att få kapslade i en så kallad TO-220 isolated 2-pin. Då byts E:et i ovanstående beteckning ut mot A, vilket ger att exempelvis 4A-varianten heter TRS4A65F.

MER LÄSNING:
 
magasinet

230 elektronik­konsulter

Registrera ditt företag nu!
 
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik
Anne-Charlotte
Sparrvik
+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)